NAND Flash将难以摆脱被淘汰的命运

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这些新技术从开发到应用,还需要一段时间。另外,新技术上市之前,价格往往都非常昂贵。不过,从成本上来看,NAND Flash与这些新技术相比并没有任何的优势,所以淘汰只是时间的问题。

   NAND Flash的普及给发展缓慢的存储市场注入了新的动力,虽然相比较机械硬盘(HDD)的价格仍然较高,但凭借着出色的性能表现,全闪存阵列已经稳稳的占据了存储高端市场。目前,很多公司的关键性业务上均采用了高端的全闪存存储。

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NAND Flash开创了固态硬盘(SSD)时代

  虽然,NAND Flash开创了固态硬盘(SSD)时代,优势已经得到了认可。但是,随着新技术的发展,仅仅只是开始的NAND Flash,或将面临着被淘汰的命运。

  首先,由美光(Micro)和英特尔(Intel)合作开发的3D XPoint技术已经正式对外公布,3D XPoint开发人员表示,新储存装置的速度和耐用度可达到NAND Flash的1,000倍。英特尔与美光在不久之前宣布设立新的品牌来推广3D XPoint技术。intel宣布设立基于3D-Xpoint技术的固态硬盘新品牌命名为Optane ,美光科技也推出新的固态硬盘品牌,命名为QuantX。

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3D XPoint是一种新的非易失性存储技术

  3D XPoint是一种新的非易失性存储技术,也就是能像NAND闪存那样断电保持数据,但同时又有着极高的速度和性能,能够达到DRAM内存级别,因此它既能做成硬盘,也能做成内存,而且单位容量成本介于二者之间,堪称梦幻黑科技。

  其次,IBM根据相变化存储器(Phase Change Memory)修正后开发的新型态储存装置,这项技术还可通过减少在迭代之间读取数据时导致的延迟开销,大大提高采用大型数据集的机器学习算法的速度。IBM则表示其开发的PCM在读取和写入速度方面比NAND Flash快上数百倍,预计可进行1,000万次读取循。

  相变化存储器(Phase Change Memory)与DRAM不同,在断电时不会丢失数据,并且这种技术可实现至少1000万次重复擦写次数,而普通的USB闪存记忆棒(U盘)最多只能重复擦写3000次。另外,相变化存储器(Phase Change Memory)存储器可以独立使用,或者用作混合应用设备的一部分,此类混合应用设备整合了相变化存储器(Phase Change Memory)和闪存,以相变化存储器(Phase Change Memory)作为速度极快的高速缓冲存储器(Cache)。在消费领域,手机的操作系统可储存在相变化存储器(Phase Change Memory)中,使手机可在几秒钟内开机。在企业领域,整个数据库都可储存在PCM中,可为时间要求苛刻的在线应用(例如金融交易)提供超快的查询处理。

  无论从哪一种技术来看,NAND Flash已经看起来是一种老旧的技术,虽然NAND Flash还并未普及。

  当然,这些新技术从开发到应用,还需要一段时间。另外,新技术上市之前,价格往往都非常昂贵。不过,从成本上来看,NAND Flash与这些新技术相比并没有任何的优势,所以淘汰只是时间的问题。

责任编辑:张诚 来源: 51CTO
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